碩士畢業時長
2.81 年
中位數・平均 2.56 年・3 人（樣本太少）
全校 2.11 年
全校 2.11 年
收錄論文
4 篇
110–115 學年度
畢業時長只統計 碩士 100–111 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
穿隧磁阻感測器加場鍍膜TMR sensorMPVD超順磁磁性穿隧結微磁學模擬熱擾動交換剛性元件尺寸機率運算Superparamagnetic magnetic tunnel junctionmicromagnetic simulationthermal fluctuationexchange stiffnessdevice sizeprobabilistic computing大磁場範圍垂直磁異向性鈷鐵硼Large magnetic field rangePerpendicular Magnetic Anisotropy (PMA)CoFeB二段退火白金錳線性響應2-steps annealingPtMnlinear response磁阻式記憶體自旋軌道扭矩式磁阻式記憶體硬質罩幕層反應離子蝕刻感應耦合電漿蝕刻離子束蝕刻MRAMSOT-MRAMHard MaskReactive Ion EtchingInductively Coupled PlasmaIon Beam Etching
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 115 | Experimental Investigation and Micromagnetic Analysis of Stochastic Response in Mo-Inserted Ta-CFL SP-MTJs 超順磁磁性穿隧結、微磁學模擬、熱擾動、交換剛性、元件尺寸、機率運算、Superparamagnetic magnetic tunnel junction、micromagnetic simulation、thermal fluctuation、exchange stiffness、device size、probabilistic computing | 碩士 | 113 | 2026-09-14 | 2.12 年 |
| 113 | Wide Dynamic Range Realization and Free Layer Improvement of Tunneling Magnetoresistance Sensors in High Magnetic Fields 前瞻半導體研究所・共同指導：吳樸偉 穿隧磁阻感測器、加場鍍膜、大磁場範圍、垂直磁異向性、鈷鐵硼、TMR sensor、MPVD、Large magnetic field range、Perpendicular Magnetic Anisotropy (PMA)、CoFeB | 碩士 | 111 | 2025-06-18 | 2.88 年 |
| 112 | Structural Optimization of Magnetic Tunneling Junction by a Combined Orthogonal Annealing and Magnetic Sputtering Technique 前瞻半導體研究所・共同指導：吳樸偉 二段退火、白金錳、加場鍍膜、線性響應、穿隧磁阻感測器、2-steps annealing、PtMn、MPVD、linear response、TMR sensor | 碩士 | 110 | 2024-05-22 | 2.81 年 |
| 110 | Enhancement of Device Performance of the Spin-Orbit Torque Memory by Process Optimization 材料科學與工程學系所・共同指導：曾院介 磁阻式記憶體、自旋軌道扭矩式磁阻式記憶體、硬質罩幕層、反應離子蝕刻、感應耦合電漿蝕刻、離子束蝕刻、MRAM、SOT-MRAM、Hard Mask、Reactive Ion Etching、Inductively Coupled Plasma、Ion Beam Etching | 碩士 | 109 | 2022-07-25 | 1.98 年 |