博士畢業時長
2.07 年
中位數・平均 2.07 年・1 人（樣本太少）
全校 6.17 年
全校 6.17 年
收錄論文
3 篇
101–103 學年度
畢業時長只統計 博士 100–106 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
二氧化鉿電阻式記憶體HfO2薄膜電晶體可撓曲駢苯衍生物銦鎵鋅氧奈米銀線thin film transistorflexiblepentacene derivativeIndium Gallium Zinc oxidesilver nano-wire電極效應鎳燈絲切換模型燈絲形態發展模型Resistive-switching Random Access MemoryElectrode EffectNi filamet RS modelFilament Morphology Evolution Model交錯型記憶體陣列二氧化鈦潛行電流軟性電子一二極體-一電阻式記憶體一選擇器-一電阻式記憶體非線性程度讀取窗口RRAMCrossbar memory arrayTiO2Ssneak currentFlexible electronics1D1R1S1RNonlinearityread margin
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 103 | Active Layer and Transparent Electrode for Flexible Thin-Film Transistors: Fabrication, Characterization and Device Integration 電子工程學系 電子研究所・共同指導：簡昭欣 薄膜電晶體、可撓曲、駢苯衍生物、銦鎵鋅氧、奈米銀線、thin film transistor、flexible、pentacene derivative、Indium Gallium Zinc oxide、silver nano-wire | 博士 | 102 | 2015-08-26 | 2.07 年 |
| 101 | Study on Nonvolatile HfO2 Resistive Switching Memory 電子工程學系 電子研究所・共同指導：侯拓宏 二氧化鉿、電阻式記憶體、電極效應、鎳燈絲切換模型、燈絲形態發展模型、HfO2、Resistive-switching Random Access Memory、Electrode Effect、Ni filamet RS model、Filament Morphology Evolution Model | 博士 | 95 | 2012-11-26 | 6.32 年 |
| 101 | Cross-point Resistive Switching Memory for High-density Data Storage and Flexible Electronics 電子工程學系 電子研究所・共同指導：侯拓宏 電阻式記憶體、交錯型記憶體陣列、二氧化鈦、二氧化鉿、潛行電流、軟性電子、一二極體-一電阻式記憶體、一選擇器-一電阻式記憶體、非線性程度、讀取窗口、RRAM、Crossbar memory array、TiO2、HfO2、Ssneak current、Flexible electronics、1D1R、1S1R、Nonlinearity、read margin | 博士 | 93 | 2012-10-18 | 8.21 年 |