陳旻政

Chen, Min-Cheng・電機學院

碩士畢業時長

2.01 年

中位數・平均 2.01 年・2 人（樣本太少）
全校 2.11 年

收錄論文

2 篇

101–105 學年度

畢業時長只統計碩士 100–111 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。

畢業時長趨勢

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

數值模擬氮化矽快閃記憶體橫向電場 Numerical Simulation SONOSLateral Electric Field電阻式記憶體隨機電報雜訊氧化鉿RRAMRTNHfOx

點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
105	氮化矽快閃記憶體的橫向電場引致內部儲存電荷傳輸之數值模擬 Numerical Simulation of Lateral Electric Field Induced Nitride Trapped Charge Movement in SONOS 電子研究所・共同指導：汪大暉數值模擬、氮化矽快閃記憶體、橫向電場、Numerical Simulation、SONOS、Lateral Electric Field	碩士	103	2016-08-30	2.08 年
101	氧化鉿電阻式記憶體之操作方法與隨機電報雜訊研究 Study of Operation Method and Random Telegraph Noise in HfOx-based RRAM 電子工程學系電子研究所・共同指導：汪大暉電阻式記憶體、隨機電報雜訊、氧化鉿、RRAM、RTN、HfOx	碩士	100	2013-07-11	1.94 年