碩士畢業時長
2.37 年
中位數・平均 3.17 年・4 人（樣本太少）
全校 2.11 年
全校 2.11 年
博士畢業時長
3.92 年
中位數・平均 3.92 年・1 人（樣本太少）
全校 6.17 年
全校 6.17 年
收錄論文
6 篇
103–108 學年度
畢業時長只統計 碩士 100–111、博士 100–106 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
離子佈植Ion Implantation霍爾效應Hall effect奈米鑽石磁振造影對比劑硼中子捕獲治療硼輸送劑NanodiamondMagnetic Resonance ImagingContrast AgentBoron Neutron Capture TherapyBoron Delivery Agent稀磁性半導體砷化鎵錳離子束誘發晶體結晶Diluted Magnetic SemiconductorGaMnAsIon Beam Induced Epitaxial Crystallization離子源離子光學模擬聚焦電極ion sourceIon beam simulationeinzel lensIBSIMU快速熱熔再結晶法X-射線繞射穿透式電子顯微鏡拉曼光譜儀電子背向散射繞射rapid-melting growthX-ray diffractionTransmission electron microscopyRamanElectron backscatter diffraction聰明切絕緣體上鍺自旋載子注入漢勒效應自旋載子偵測Smart cutSpin injectionSpin detectionHanle effectGermanium on insulatorSpin lifetime氣體電 離室高能量分辨率
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 108 | Properties and Bio-medical Applications of Nanodiamonds with Embedded Ions Prepared by Ion Implantation 電子研究所・共同指導：李建平 奈米鑽石、離子佈植、磁振造影、對比劑、硼中子捕獲治療、硼輸送劑、Nanodiamond、Ion Implantation、Magnetic Resonance Imaging、Contrast Agent、Boron Neutron Capture Therapy、Boron Delivery Agent | 博士 | 105 | 2020-07-04 | 3.92 年 |
| 107 | Strain and Optical Characteristics Analysis of Mg Ion-Implanted GaMnAs Diluted Magnetic Semiconductor Fabricated by Ion Beam Induced Epitaxial Crystallization 電子研究所・共同指導：李建平 稀磁性半導體、砷化鎵錳、離子佈植、離子束誘發晶體結晶、Diluted Magnetic Semiconductor、GaMnAs、Ion Implantation、Ion Beam Induced Epitaxial Crystallization | 碩士 | 102 | 2019-08-25 | 6.06 年 |
| 106 | Ion Source Set Up and Ion Optical Simulation 物理研究所・共同指導：林貴林 離子源、離子光學模擬、聚焦電極、ion source、Ion beam simulation、einzel lens、IBSIMU | 碩士 | 104 | 2017-10-20 | 2.22 年 |
| 104 | Growth of Ge single crystal stripes on Si substrate using rapid-melting growth 電子工程學系 電子研究所・共同指導：李建平 快速熱熔再結晶法、X-射線繞射、穿透式電子顯微鏡、拉曼光譜儀、電子背向散射繞射、霍爾效應、rapid-melting growth、X-ray diffraction、Transmission electron microscopy、Raman、Electron backscatter diffraction、Hall effect | 碩士 | 102 | — | 無法計算 |
| 103 | Fabrication and Characterization of Device of Spin Injection and Detection on Germanium on Insulator 電子工程學系 電子研究所・共同指導：李建平 聰明切、絕緣體上鍺、自旋載子注入、霍爾效應、漢勒效應、自旋載子偵測、Smart cut、Spin injection、Spin detection、Hanle effect、Hall effect、Germanium on insulator、Spin lifetime | 碩士 | 102 | 2015-06-25 | 1.90 年 |
| 103 | A Gas Ionization Chamber With High Energy Resolution 物理研究所・共同指導：林貴林 氣體電 離室、高能量分辨率、gas ionization chamber、high energy resolution | 碩士 | 101 | 2015-02-02 | 2.51 年 |