博士畢業時長
8.27 年
中位數・平均 8.27 年・2 人（樣本太少）
全校 6.17 年
全校 6.17 年
收錄論文
3 篇
101–108 學年度
畢業時長只統計 博士 100–106 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
橫向擴散金氧半場效電晶體LDMOS氮化鎵高電子遷移率電晶體紫外光脈衝電流-電壓低頻雜訊高頻參數缺陷捕捉效應光電子Gallium NitrideHigh Electron Mobility TransistorsUlrtavioletPulsed current-voltageLow-frequency noiseHigh-frequencyCharge trappingoptoelectronic鰭狀電晶體薄膜場效電晶體汲極延伸射頻FinFETTFTDrain-ExtendedRadio-Frequency設計寬汲極layoutwide-drain
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 108 | Electrical Characterization of GaN-based HEMTs Under Ultraviolet Illumination 材料科學與工程學系所・共同指導：張翼 氮化鎵、高電子遷移率電晶體、紫外光、脈衝電流-電壓、低頻雜訊、高頻參數、缺陷捕捉效應、光電子、Gallium Nitride、High Electron Mobility Transistors、Ulrtaviolet、Pulsed current-voltage、Low-frequency noise、High-frequency、Charge trapping、optoelectronic | 博士 | 101 | 2020-07-31 | 8.00 年 |
| 108 | Electrical Characterization of Silicon-based RF and Power Transistors With Different Layout Geometries 材料科學與工程學系所・共同指導：張翼 橫向擴散金氧半場效電晶體、鰭狀電晶體、薄膜場效電晶體、汲極延伸、射頻、LDMOS、FinFET、TFT、Drain-Extended、Radio-Frequency | 博士 | 100 | 2020-02-10 | 8.53 年 |
| 101 | Characterization and Modeling of Wide-Drain LDMOS Transistors for RF Applications 橫向擴散金氧半場效電晶體、設計、寬汲極、LDMOS、layout、wide-drain | 碩士 | 99 | 2012-09-24 | 2.15 年 |