碩士畢業時長
2.74 年
中位數・平均 2.74 年・1 人（樣本太少）
全校 2.11 年
全校 2.11 年
收錄論文
4 篇
112–114 學年度
畢業時長只統計 碩士 100–111 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
可靠度Reliability感應器磁性點接觸磁阻疇壁電阻透射係數轉移矩陣法sensorsmagnetic point-like contactmagnetoresistancedomain wall resistancetransmission coefficienttransfer matrix technique氧化鉿鋯鐵電高電子遷移率電晶體三維溝槽式電容器氮化鎵預極化HZOFEHEMTtrench-capacitorGaNPre-poling鐵電性氧化鉿鋯電容器一階反轉曲線壓電力顯微鏡限域成核開關模型FerroelectricHZO-based CapacitorFirst-Order Reverse CurvePFMNucleation Limited Switching Model鐵磁性電阻開關記憶體自旋電子學磁性各向異性resistive switchingFeRAMtunnel junctionmagnetic anisotropyspintronics
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 114 | Model of Electron Transport in point-like Magnetic Nanocontact 國際半導體產業學院 感應器、磁性點接觸、磁阻、疇壁電阻、透射係數、轉移矩陣法、sensors、magnetic point-like contact、magnetoresistance、domain wall resistance、transmission coefficient、transfer matrix technique | 碩士 | 113 | 2026-07-08 | 1.93 年 |
| 113 | Fabrication and Characterization of HZO-Based MFS-HEMTs and MFM-Capacitors on GaN-on-QST® Substrates 國際半導體產業學院 氧化鉿鋯、鐵電高電子遷移率電晶體、三維溝槽式電容器、氮化鎵、可靠度、預極化、HZO、FEHEMT、trench-capacitor、GaN、Reliability、Pre-poling | 碩士 | 112 | 2025-08-11 | 2.03 年 |
| 113 | Impact of Key Processes on Ferroelectric Memory Reliability and Advanced Thin-Film Analysis: Thickness and Interface Optimization, PFM Phase Analysis, FORC Application, and Nucleation-Limited Switching Model 國際半導體產業學院 鐵電性、氧化鉿鋯電容器、一階反轉曲線、可靠度、壓電力顯微鏡、限域成核開關模型、Ferroelectric、HZO-based Capacitor、First-Order Reverse Curve、Reliability、PFM、Nucleation Limited Switching Model | 碩士 | 111 | 2025-04-29 | 2.74 年 |
| 112 | Resistive switching in nano-scale systems: Considering ferroelectric tunnel junctions, and 2D polyphthalocyanines monolayers 國際半導體產業學院 鐵磁性、電阻開關、記憶體、自旋電子學、磁性各向異性、resistive switching、FeRAM、tunnel junction、magnetic anisotropy、spintronics | 博士 | 109 | 2024-05-21 | 3.80 年 |