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111–111 學年度
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
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研究關鍵字
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 111 | Reliability Evaluation Circuits for GaN HEMTs Devices in Power Electronics Application 國際半導體產業學院・共同指導：吳添立 氮化鎵、動態通態電阻、臨界電壓不穩定、可靠度、測試電路、GaN、dynamic Rds、on、Vth instability、reliability、testing circuit | 博士 | 108 | 2023-07-27 | 3.99 年 |