博士畢業時長
4.36 年
中位數・平均 4.36 年・1 人（樣本太少）
全校 6.17 年
全校 6.17 年
收錄論文
1 篇
107–107 學年度
畢業時長只統計 博士 100–106 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 107 | Investigations of High-mobility Germanium and Advanced FinFET Structure for 5 nm Node MOSFET Devices 電子研究所・共同指導：簡昭欣 鍺、鰭狀電晶體、金氧半場效電晶體、金屬鍺化物、計算機輔助設、第一原理計算、Germanium、FinFET、MOSFET、Metal Germanide、TCAD、First-principle Calculations | 博士 | 103 | 2018-12-12 | 4.36 年 |