碩士畢業時長
1.89 年
中位數・平均 1.89 年・1 人（樣本太少）
全校 2.11 年
全校 2.11 年
收錄論文
1 篇
110–110 學年度
畢業時長只統計 碩士 100–111 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
鐵電電容HfxZr1-xO2 材料CMOS 後段製程相容面積微縮性厚度微縮性Ferroelectric capacitorsHfxZr1-xO2 materialCMOS BEOL compatibilityarea scalabilitythickness scalability
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 110 | Back-End-of-Line Compatible HfxZr1-xO2 Ferroelectric Capacitors with High Scalability 電子研究所・共同指導：侯拓宏 鐵電電容、HfxZr1-xO2 材料、CMOS 後段製程相容、面積微縮性、厚度微縮性、Ferroelectric capacitors、HfxZr1-xO2 material、CMOS BEOL compatibility、area scalability、thickness scalability | 碩士 | 109 | 2022-06-22 | 1.89 年 |