博士畢業時長
6.06 年
中位數・平均 6.06 年・1 人（樣本太少）
全校 6.17 年
全校 6.17 年
收錄論文
1 篇
109–109 學年度
畢業時長只統計 博士 100–106 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
水溶液製備法氧化鋅薄膜電晶體金屬氧化物材料可撓式之薄膜電晶體紫外光/可見光之光檢測器極性分子檢測器solution-based processingzinc-oxide based thin-film transistorsmetal-oxide semiconducting materialsflexible substrateUV/visible light photo-detectingpolar/non-polar solvents sensors
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 109 | Research on Solution-Processed Thin-Film Transistors based on Transparent and Flexible Zinc-Oxide for Novel Sensing Applications 材料科學與工程學系所・共同指導：柯富祥 水溶液製備法、氧化鋅薄膜電晶體、金屬氧化物材料、可撓式之薄膜電晶體、紫外光/可見光之光檢測器、極性分子檢測器、solution-based processing、zinc-oxide based thin-film transistors、metal-oxide semiconducting materials、flexible substrate、UV/visible light photo-detecting、polar/non-polar solvents sensors | 博士 | 103 | 2020-08-22 | 6.06 年 |