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114–114 學年度
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
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研究關鍵字
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 114 | STM Observation of the Growth Mechanism of MBE-growth NiTe₂ on Bilayer Graphene/SiC Substrates 電子物理學系・共同指導：林俊良 掃描探針顯微鏡、分子束磊晶、二維材料、二碲化鎳、生長機制、STM、MBE、2D Material、NiTe2、Growth Mode | 碩士 | 112 | 2026-04-09 | 2.69 年 |