碩士畢業時長
2.10 年
中位數・平均 2.10 年・2 人（樣本太少）
全校 2.11 年
全校 2.11 年
博士畢業時長
7.08 年
中位數・平均 7.08 年・1 人（樣本太少）
全校 6.17 年
全校 6.17 年
收錄論文
4 篇
106–112 學年度
畢業時長只統計 碩士 100–111、博士 100–106 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
分子束磊晶鋁薄膜Molecular Beam Epitaxy變質緩衝層銻化物碲化鎵摻雜Metamorphic Buffer LayerAntimonidesAluminum Thin FilmGaTe Doping閘極調變效應氮化鈦薄膜gate modulationaluminum filmstitanium nitride films鋁奈米線超導臨界溫度電晶體aluminum nanowiressuperconductorcritical temperaturefield-effect transistors鋁奈米薄膜分子數磊晶Aluminum Nanofilm
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 112 | Growth of Antimonide on GaAs Substrate Using Ultrathin Metamorphic Buffer Layers 電子研究所・共同指導：林聖迪 分子束磊晶、變質緩衝層、銻化物、鋁薄膜、碲化鎵摻雜、Molecular Beam Epitaxy、Metamorphic Buffer Layer、Antimonides、Aluminum Thin Film、GaTe Doping | 博士 | 105 | 2023-09-01 | 7.08 年 |
| 111 | Gate modulation effect in nano-scale aluminum and titanium nitride thin films 電子研究所・共同指導：林聖迪 分子束磊晶、閘極調變效應、鋁薄膜、氮化鈦薄膜、molecular beam epitaxy、gate modulation、aluminum films、titanium nitride films | 碩士 | 109 | 2022-09-22 | 2.14 年 |
| 108 | Superconducting characteristics and electrical device measurements of aluminum-channel nanowires 電子研究所・共同指導：林聖迪 鋁奈米線、超導、臨界溫度、電晶體、aluminum nanowires、superconductor、critical temperature、field-effect transistors | 碩士 | 106 | — | 無法計算 |
| 106 | Epitaxial Growth and Characteristics Analysis of Aluminum Nanofilms 電子研究所・共同指導：林聖迪 鋁奈米薄膜、分子數磊晶、Aluminum Nanofilm | 碩士 | 104 | 2017-08-22 | 2.06 年 |