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114–114 學年度
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
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研究關鍵字
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 114 | Reliability and DC/RF Stress Induced Degradation in InAlGaN/GaN HEMTS for RF and Terahertz Applications GaN HEMT、直流應力、可靠性、射頻線性度、TCAD、DC stress、Reliability、RF linearity | 博士 | 112 | 2026-01-12 | 2.45 年 |