博士畢業時長
2.89 年
中位數・平均 2.89 年・1 人（樣本太少）
全校 6.17 年
全校 6.17 年
收錄論文
1 篇
107–107 學年度
畢業時長只統計 博士 100–106 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
非晶氧化銦鎵鋅薄膜電晶體光效應反應時間反應速率氧空缺負閘極偏壓與照光應力正閘極偏壓與照光應力Amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO)Thin-Film Transistors (TFTs)Illumination EffectResponse TimeReaction RateOxygen VacancyNegative Bias and Illumination Stress (NBIS)Positive Bias and Illumination Stress (PBIS)
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 107 | Study on the Response and Recovery of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistors to Illumination 光電工程研究所・共同指導：戴亞翔 非晶氧化銦鎵鋅、薄膜電晶體、光效應、反應時間、反應速率、氧空缺、負閘極偏壓與照光應力、正閘極偏壓與照光應力、Amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO)、Thin-Film Transistors (TFTs)、Illumination Effect、Response Time、Reaction Rate、Oxygen Vacancy、Negative Bias and Illumination Stress (NBIS)、Positive Bias and Illumination Stress (PBIS) | 博士 | 105 | 2019-06-24 | 2.89 年 |