博士畢業時長
5.42 年
中位數・平均 5.42 年・2 人（樣本太少）
全校 6.17 年
全校 6.17 年
收錄論文
2 篇
107–110 學年度
畢業時長只統計 博士 100–106 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
光感測元件比色法檢測有機半導體溶膠凝膠金屬氧化物半導體雷射退火表面電漿共振photodetectorcolorimetric sensingorganic semiconductorsol-gelmetal oxide semiconductorlaser annealingsurface plasmon resonance深紫外光圖形化飛秒雷射光直寫技術功能性金屬氧化物導電微米圖形氧化鈦/碳奈米複合材料氧化鋅三維製程技術薄膜電晶體結構性色彩微小化壓力感測器光感測器DUV patterningfemtosecond direct laser writingfunctional metal oxideconductive micropatternTiO2/carbon nanocompositeZnO3D fabricationthin film transistorstructural colorminiaturized pressure sensorphoto-detector
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 110 | Solution Processed Organic And Oxide Semiconductor Devices With Their Biochemical Sensing Applications 光電工程研究所・共同指導：冉曉雯、Zan, Hsiao-Wen 光感測元件、比色法檢測、有機半導體、溶膠凝膠、金屬氧化物半導體、雷射退火、表面電漿共振、photodetector、colorimetric sensing、organic semiconductor、sol-gel、metal oxide semiconductor、laser annealing、surface plasmon resonance | 博士 | 105 | 2022-08-21 | 6.05 年 |
| 107 | 2D & 3D structuration of solution-based metal oxide precursor via photolithography and its optical/electrical application 光電工程研究所・共同指導：冉曉雯、Zan, Hsiao-Wen 深紫外光圖形化、飛秒雷射光直寫技術、功能性金屬氧化物、導電微米圖形、氧化鈦/碳奈米複合材料、氧化鋅、三維製程技術、薄膜電晶體、結構性色彩、微小化壓力感測器、光感測器、DUV patterning、femtosecond direct laser writing、functional metal oxide、conductive micropattern、TiO2/carbon nanocomposite、ZnO、3D fabrication、thin film transistor、structural color、miniaturized pressure sensor、photo-detector | 博士 | 103 | 2019-05-15 | 4.79 年 |