博士畢業時長
6.27 年
中位數・平均 6.27 年・1 人（樣本太少）
全校 6.17 年
全校 6.17 年
收錄論文
1 篇
111–111 學年度
畢業時長只統計 博士 100–106 學年度入學的學生：太近的入學年度還有同屆沒畢業，算進來會讓時長看起來偏短，詳見說明。下表與圖中灰色的論文不列入統計。
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
氮化鎵人體放電模型電晶體二極體射頻元件充電模型Gallium Nitride (GaN)Human Body Model (HBM)transistordiodeRadio Frequency (RF)Charged Device Model (CDM)
點關鍵字可以找研究同一主題的其他教授（灰色的只出現過一次，不列入搜尋）。 想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。
指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 111 | RF ESD Exploration in Si/III-V Heterogeneous Integration for 5G/B5G Applications 電子研究所・共同指導：柯明道、Ker, Ming-Dou 氮化鎵、人體放電模型、電晶體、二極體、射頻、元件充電模型、Gallium Nitride (GaN)、Human Body Model (HBM)、transistor、diode、Radio Frequency (RF)、Charged Device Model (CDM) | 博士 | 105 | 2022-11-09 | 6.27 年 |